SI4860DY-T1-GE3

Name: Electro-Films (EFI) / Vishay SI4860DY-T1-GE3
Brand: Electro-Films (EFI) / Vishay
SKU: SI4860DY-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (833 reviews)

Hersteller-Teilenummer:	SI4860DY-T1-GE3
Hersteller / Marke:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Teil der Beschreibung:	MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Datenblätte:	SI4860DY-T1-GE3.pdf
RoHs Status:	Lead free / RoHS Compliant
Zustand des Lagers:	3094 pcs Stock
ECAD -Modell:
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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ArtikelnummerSI4860DY-T1-GE3
HerstellerElectro-Films (EFI) / Vishay
BeschreibungMOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
KategorieDiskrete Halbleiterprodukte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel
Teilstatus3094 pcs Stock
VGS (th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)
Vgs (Max)±20V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse8-SO
SerieTrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs8 mOhm @ 16A, 10V
Verlustleistung (max)1.6W (Ta)
VerpackungTape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 4.5V
Typ FETN-Channel
FET-Merkmal-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)30V
detaillierte BeschreibungN-Channel 30V 11A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C11A (Ta)
SI4860DY-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English]SI4860DY-T1-GE3 PDF - EN.pdf

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