SI4860DY-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay
Deutsch
Artikelnummer: | SI4860DY-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 16A, 10V |
Verlustleistung (max) | 1.6W (Ta) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 30V 11A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SO |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11A (Ta) |
SI4860DY-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI4860DY-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI4860DY-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay |
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Zielpreis (USD)
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